1、 直擊雷非防護區(qū)（LPZOA）：本區(qū)內(nèi)的各類物體都可能遭到直接雷擊，本區(qū)內(nèi)的電磁沒有衰減，屬完全暴露的不設(shè)防區(qū)； 2、 直擊雷防護區(qū)（LPZOB）：本區(qū)內(nèi)的各類物體很少遭到直接雷擊，但本區(qū)內(nèi)電磁場沒有衰減，屬充分暴露的直擊雷防護區(qū)； 3、 屏蔽防護區(qū)（LPZ1）：本區(qū)別內(nèi)的各類物體不可能遭受直接雷擊，流經(jīng)各類導(dǎo)體的電流比LPZ0B進一步減小，由于建筑物的屏蔽措施，本區(qū)內(nèi)的電磁場得到了初步的衰減； 4、 第二屏蔽區(qū)（LPZ2+n）（n=0，1，2，3，4…）：為進一步減小雷電電磁脈沖強度引入的后續(xù)防護區(qū)； 在重要的電子設(shè)備和計算機機房，在UPS后宜安裝安裝標稱通流容量≥10KA（8/20μs波形），標稱導(dǎo)通電壓Un≥2Uc（Uc：工作電壓）、響應(yīng)時間≤50ns的浪涌保護器作為精細防護。 7）、在二次（直流）電源的設(shè)備前宜安裝低壓直流電源SPD，其標稱通流容量≥10KA（8/20μs波形），標稱導(dǎo)通電壓Un≥1.5Uz（Uz：直流工作電壓）、響應(yīng)時間≤50ns的浪涌保護器作為直流電源防護。 2、電源線路SPD的選擇要求：1）、入戶為低壓架空線路宜安裝三相電壓開關(guān)型SPD，埋地電